IGBT
IGBT是一種非常重要的電力電子器件。它不僅具有功率MOSFET的低驅(qū)動(dòng)功率和高開關(guān)頻率的優(yōu)點(diǎn),而且具有大功率晶體管低導(dǎo)通電壓和高導(dǎo)通電流的優(yōu)點(diǎn)。它可以在任何時(shí)間關(guān)斷導(dǎo)通電流,避免了普通晶閘管只能在半波內(nèi)關(guān)斷的缺點(diǎn)。它是電力電子領(lǐng)域很有前途的大功率半導(dǎo)體器件。
IGBT又稱絕緣柵雙極晶體管,是電力半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于軌道交通、航天、船舶驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風(fēng)力發(fā)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車等行業(yè)。它自創(chuàng)立以來已經(jīng)有大約30年了。它實(shí)現(xiàn)了12英寸的硅片和6500伏的高電平。

IGBT的封裝失效機(jī)理
IGBT模塊主要由多片混合型IGBT芯片組成,通過鋁線進(jìn)行電連接。在標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還將具有續(xù)流二極管,然后大量硅凝膠將被澆注到芯片之上。最后,它將被包裝在塑料外殼中。

IGBT單元的堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
從上到下,它由三部分組成:芯片,DBC(定向鍵合銅)和金屬散熱器(通常是銅)。DBC由三層材料組成,上下層為金屬層,中間層為絕緣陶瓷層。與陶瓷基片相比,DBC具有更輕的重量、更好的導(dǎo)熱性和更好的可靠性。
2 IGBT封裝失效機(jī)制
電力設(shè)備的可靠性是指設(shè)備在特定條件下執(zhí)行特定功能的能力,通常以使用壽命來表示。半導(dǎo)體器件主要用于實(shí)現(xiàn)電流開關(guān),這將導(dǎo)致較大的功率損耗。電力電子系統(tǒng)的熱管理已經(jīng)成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)中最重要的部分。在電力電子器件的工作過程中,首先要解決的是熱問題,包括穩(wěn)態(tài)溫度、溫度循環(huán)、溫度梯度以及封裝材料在工作溫度下的匹配。
由于IGBT采用層壓封裝技術(shù),不僅提高了封裝密度,而且縮短了芯片間導(dǎo)線的互連長度,從而提高了器件的運(yùn)行速度。然而,由于這種結(jié)構(gòu),IGBT的可靠性受到了質(zhì)疑。不難想象,IGBT模塊封裝層的失效主要發(fā)生在鍵合線、芯片焊接、基板焊接等連接處。
在正常功率或溫度循環(huán)中,芯片、焊料層、基板、底板和封裝外殼經(jīng)歷不同層的溫度梯度。熱膨脹系數(shù)(CTE)是材料的一項(xiàng)重要性能指標(biāo)。它是指在一定的溫度范圍內(nèi),每當(dāng)溫度上升0°時(shí),線尺寸的增長與材料長度的比率。圖1-2是IGBT堆疊結(jié)構(gòu)中常用的材料的熱膨脹系數(shù)。由于各材料的熱膨脹系數(shù)不同,當(dāng)溫度變化時(shí),不同材料的熱應(yīng)變也不同,互聯(lián)層間的接頭會(huì)因熱應(yīng)力而導(dǎo)致疲勞損失。因此,器件的熱行為與模塊封裝的結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。研究表明,工作溫度每上升10℃,由溫度引起的失效率就會(huì)翻倍。

圖1-3說明了IGBT模塊在運(yùn)行過程中容易發(fā)生疲勞磨損的點(diǎn)。

鋁連接導(dǎo)體的脫離
IGBT中的鋁結(jié)合線通常直徑為300-500μm,其化學(xué)成分因制造商而異。然而,在幾乎所有情況下,通過在純鋁中添加千分之一的合金,例如硅鎂或硅鎳合金,可以大大提高鋁的硬度,并且可以控制耐腐蝕性。由于長度不成比例,并且稍微依賴于襯底的溫度,所以結(jié)線的電流容量將降低。最大直流電流由導(dǎo)體本身的歐姆熱效應(yīng)引起的熔化所限制。由于鋁鍵合線直接與芯片或壓力緩沖器連接,因此能夠承受較大的溫度變化,IGBT模塊由具有不同熱膨脹系數(shù)的材料組成。在工作過程中,會(huì)出現(xiàn)明顯的熱疲勞。隨著工作時(shí)間的延長,這種疲勞現(xiàn)象將越來越明顯,焊絲本身的歐姆效應(yīng)將越來越明顯,最終在焊絲根部產(chǎn)生裂紋。鋁導(dǎo)體的改造
在熱循環(huán)試驗(yàn)中,熱膨脹系數(shù)的失配會(huì)引起粘結(jié)面的周期性擠出和拉拔,這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了材料本身的膨脹范圍。在這種情況下,壓力會(huì)以不同的方式釋放,如擴(kuò)散蠕變、顆?;?、位錯(cuò)等。鋁的重塑導(dǎo)致接觸表面有效面積的減小,從而導(dǎo)致阻擋電阻的增加。這也解釋了為什么Vce隨著周期性測(cè)試而線性增加。
焊料疲勞和焊料空隙
芯片與基板之間的焊料層由于熱膨脹系數(shù)的差異而產(chǎn)生的裂紋將增加導(dǎo)體的接觸電阻,電阻的增加將導(dǎo)致歐姆效應(yīng)的增強(qiáng),所以正溫度反饋將使裂紋越來越嚴(yán)重,最終導(dǎo)致t設(shè)備故障。焊料層中的空隙會(huì)影響溫度的熱循環(huán),降低器件的散熱性能,也會(huì)促進(jìn)溫度的升高,從而加速模塊的損壞。此外,應(yīng)力和應(yīng)變之間存在滯后。在連續(xù)的溫度循環(huán)過程中,材料的形狀實(shí)時(shí)變化,增加了焊料的熱疲勞。此外,由于工藝問題引入焊料中的空隙會(huì)影響工作過程中的熱循環(huán),導(dǎo)致局部溫度過高,這也是模塊失效的重要原因。
晶圓與陶瓷裂紋
在IGBT七層結(jié)構(gòu)中,熱膨脹系數(shù)的失配會(huì)給每一層帶來很大的機(jī)械效應(yīng)。
強(qiáng)調(diào)。在溫差情況下,各層的變形是不同的,同一層材料的不同部位由于溫度分布的不同而導(dǎo)致不同的變形程度,從而不可避免地存在局部應(yīng)力過大的問題,從而導(dǎo)致材料的開裂。
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