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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 BSM200GB120DLC 200A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: BSM200GB120DLC
發(fā)布時間: 2018-09-30
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)說明
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 420 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1550 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
MOSFET模式（不可用于2SC0108T）
在IGBT模式下，正開通門極電壓可穩(wěn)定在+15V，負(fù)關(guān)斷門極電壓為負(fù)值，對于SCALE-2驅(qū)動核通常為大約-10V。借助MOSFET模式，可將關(guān)斷門極電壓設(shè)置為0V。
建議按照下面的方法操作以在SCALE-2驅(qū)動核上激活MOSFET模式：
1.將副邊端子COMx和VEx連接在一起。這必須在驅(qū)動器電源關(guān)斷的情況下執(zhí)行，否則可能會損壞次級ASICIGD。
如有必要，可使用下圖中的支撐電容C21。支撐電容C22不再需要，因為它們已經(jīng)被短路。
2.選擇開通時所需的門極-發(fā)射極電壓。原方電源電壓VCC仍需要為+15V。改變原方的VDC使副方VISOx到COMx的電壓調(diào)節(jié)到10V到20V之間。這對應(yīng)于門極的導(dǎo)通電壓。
VDC至VISOx-COMx的傳輸比的典型值為1.67。副方的欠壓保護點從IGBT模式下的12.6V變?yōu)镸OSFET模式下的8.75V（典型值）。VDC電壓在
MOSFET模式下低于大約5.2V會產(chǎn)生欠壓故障。例如，VDC=6V通?？僧a(chǎn)生10V的正門極導(dǎo)通電壓。但是請注意，此值取決于驅(qū)動器輸出功率和溫度。
3.VCE檢測的參考電壓Vth（需要使用Rth設(shè)定）必須設(shè)置為不低于4V的值（參考COMx）。
請注意，MOSFET模式設(shè)計主要用于實現(xiàn)超快速MOSFET開關(guān)。因此，開關(guān)延遲需要降到最小，這樣就需要單電源驅(qū)動電壓。
MOSFET的門極-發(fā)射極開通閾值電壓較低。因此，MOSFET模式的使用不是總被推薦的，而需要視應(yīng)用而定。
IGBT模式也可以用于驅(qū)動MOSFET，因為關(guān)斷狀態(tài)下的負(fù)的門極-發(fā)射極電壓可以避免寄生導(dǎo)通。
從功能上來說，IGBT就是一個電路開關(guān)，用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。
(相對而言，手機、電腦電路板上跑的電電壓低，以傳輸信號為主，都屬于弱電。)
可以認(rèn)為就是一個晶體管，電壓電流超大而已。
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